Język:
PL RU

Wyszukiwarka

Wyszukiwanie produktów możesz przeprowadzić wpisując nazwę produktu lub pożądane parametry. Wyniki wyszukiwania będziesz mógł dodatkowo filtrować.

Koszyk

Twój koszyk jest pusty

Kategorie produktów

Na skróty

Tranzystory > Polowe

Polowe - Zawężanie cech produktów

MOSFET
Napięcie dren - źródło
Prąd drenu
Obudowa

Polowe - Lista produktów

  • Tranzystor 2N7000
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (2N7000)
    • MOSFET: N,
    • Napięcie dren - źródło: 60V,
    • Prąd drenu: 10mA,
    • Obudowa: TO-92,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 1+
      0,33

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

  • Tranzystor 2SK170BL7C RoHS
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (2SK170BL7C)
    • MOSFET: N,
    • Napięcie dren - źródło: 40V,
    • Prąd drenu: 10mA,
    • Obudowa: TO-92,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 1000+
      1,20
    • 100+
      1,44
    • 1+
      2,20

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

  • Tranzystor 2SK369BL8J RoHS
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (2SK369BL8J)
    • MOSFET: N,
    • Napięcie dren - źródło: 40V,
    • Prąd drenu: 10mA,
    • Obudowa: TO-92,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 1000+
      1,50
    • 100+
      1,80
    • 1+
      2,68

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

  • Tranzystor BSP171 RoHS
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (BSP171)
    • MOSFET: P,
    • Napięcie dren - źródło: 60V,
    • Prąd drenu: 1.7A,
    • Obudowa: SOT-223,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 3000+
      0,66
    • 1000+
      0,80
    • 1+
      1,22

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

  • Tranzystor BUZ11 RoHS
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (BUZ11)
    • MOSFET: N,
    • Napięcie dren - źródło: 50V,
    • Prąd drenu: 30A,
    • Obudowa: TO-220,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 500+
      1,55
    • 50+
      1,75
    • 1+
      3,25

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

  • Tranzystor FQA34N25 RoHS
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (FQA34N25)
    • MOSFET: N,
    • Napięcie dren - źródło: 250V,
    • Prąd drenu: 34A,
    • Obudowa: TO-3P,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 300+
      6,70
    • 30+
      8,00
    • 1+
      9,76

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

  • Tranzystor FQA36P15 RoHS
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (FQA36P15)
    • MOSFET: P,
    • Napięcie dren - źródło: 150V,
    • Prąd drenu: 36A,
    • Obudowa: TO-3P,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 300+
      7,73
    • 30+
      9,27
    • 1+
      11,38

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

  • Tranzystor FQU2N60C RoHS
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (FQU2N60C)
    • MOSFET: N,
    • Napięcie dren - źródło: 600V,
    • Prąd drenu: 1.9A,
    • Obudowa: TO-251,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 10+
      10,40
    • 1+
      13,01

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

  • Tranzystor IRF120 RoHS
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (IRF120)
    • MOSFET: N,
    • Napięcie dren - źródło: 100V,
    • Prąd drenu: 8A,
    • Obudowa: TO-204AA,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 10+
      8,00
    • 1+
      9,76

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

  • Tranzystor IRF530N RoHS
    opis szczegółowy sprawdź magazyn dokumentacja
    Tranzystor (IRF530N)
    • MOSFET: N,
    • Napięcie dren - źródło: 100V,
    • Prąd drenu: 14A,
    • Obudowa: TO-220,
    • Ilość: [szt.]
      Cena netto: [PLN]
    • 500+
      1,38
    • 50+
      1,82
    • 1+
      2,44

    Ilość min: 1

    Wielokrotność: 1

1 2 3 4
Do góry

Przedsiębiorstwo Produkcyjno - Handlowe TRIM-POT
Kocmyrzów 45A
32-010 Kocmyrzów
Polska

tel. +48 12 387 06 01
fax. +48 12 387 06 02
biuro@trim-pot.com.pl

Webdesign: Mateusz Kramarz & SiGSOFT.pl